IGBT模塊FZ1000R33HL3

更新時間：2023-11-17

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品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊，最大規(guī)格1mΩ

新品

采用 1200V SiC M1H芯片的

62mm半橋模塊，最大規(guī)格1mΩ

1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模塊現(xiàn)已上市。由于采用了 M1H芯片技術(shù)，模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅(qū)動電壓窗口方面性能得到了改善。這些模塊還提供預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料（TIM）版本。

相關(guān)產(chǎn)品：

產(chǎn)品特點

集成體二極管，優(yōu)化了熱阻

最高的防潮性能

柵極氧化層可靠性

抗宇宙射線能力強

符合RoHS標(biāo)準要求

應(yīng)用價值

按照應(yīng)用苛刻條件優(yōu)化

更低的電壓過沖

導(dǎo)通損耗最小

高速開關(guān)，損耗極低

對稱模塊設(shè)計實現(xiàn)對稱的上下橋臂開關(guān)行為

標(biāo)準模塊封裝技術(shù)確保可靠性

62毫米高產(chǎn)量生產(chǎn)線上生產(chǎn)

競爭優(yōu)勢

通過碳化硅擴展成熟的62毫米封裝的產(chǎn)品，以滿足快速開關(guān)要求和低損耗的應(yīng)用。

電流密度最高，防潮性能強

應(yīng)用領(lǐng)域

儲能系統(tǒng)

電動汽車充電

光伏逆變器

UPS